한미 양자 기술 협력 확대...배경훈 장관, IBM 왓슨 연구소 등 방문

[보안뉴스 한세희 기자] 우리 정부가 미국과 산학연 양자 기술 협력을 확대한다.

배경훈 과학기술정보통신부 장관은 23일(현지시간) 미국 뉴욕 IBM 왓슨 연구소를 방문, IBM과 양자과학기술 산업 육성을 위한 협력 양해각서(MOU)를 체결했다.

양측은 △양자인프라 구축 및 서비스 제공 △연구개발 및 산업 활용 △전문인력 양성 및 역량 강화 등 3개 분야에서 협력한다. 양자컴퓨터 인프라를 구축하고 R&D 센터를 설립해 산업 응용 가능성을 발굴하고, 양자 소프트웨어 개발 도구 키스킷(Qiskit) 기반 양자 전문인력을 양성한다.

또 제이 갬베타 IBM 부사장과 웨이드 데이비스 모더나 CTO, 진 우트키 올스테이트 TD, 김은아 코넬대 교수 등 글로벌 기업 및 학계 전문가들이 참석한 간담회를 열어 협력 방향을 논의했다.

▲IBM 뉴욕 왓스 연구소의 양자 연구 시설 [자료: IBM]

배 장관은 미국 에너지부 브룩헤이븐연구소를 방문해 전자-이온 충돌기(EIC) 등 기초 대형인프라 협력 관련 시설을 시찰하고, 이를 기반으로 AI와 양자 등 분야로 협력을 확장하는 방안을 논의했다.

브룩헤이븐 연구진은 AI와 양자 기술을 활용한 연구혁신 사례를 공유하고, 배 장관과 함께 양자, 가속기 등 관련 연구시설을 둘러보았다. 배 장관은 한국 정부출연연구소를 소개하며 양국 국립연구소 간 협력 확대 방안을 논의했다.

양측은 EIC 프로젝트를 시작으로 신흥 AI·양자 기술을 다양한 기초연구 분야에 적용해 협력 확대를 모색한다. 정부 간 협력 기반을 공고히 하기 위해 미 에너지부와 과학기술 협력에 관한 이행약정(IA)과 정부 간 협력의향서(SOI) 체결도 논의 중이다.

[한세희 기자(boan@boannews.com)]

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